2024-09-16
IGBT Fuse တွင် အလွန်ယုံကြည်စိတ်ချရပြီး ထိရောက်မှုရှိစေသည့် မရှိမဖြစ်အင်္ဂါရပ်များစွာ ပါရှိသည်။ ၎င်းတွင် မြင့်မားသော ဖောက်ထွင်းနိုင်စွမ်း၊ ပါဝါဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးပြီး စက်ဘီးစီးခြင်းသက်တမ်း ကြာမြင့်ပါသည်။ ၎င်း၏တုံ့ပြန်မှုအချိန်သည် မြန်ဆန်ပြီး ပေါက်ကွဲခြင်း သို့မဟုတ် လေထုညစ်ညမ်းခြင်းမရှိဘဲ တိတ်တဆိတ်လုပ်ဆောင်သည်။ ထို့အပြင်၊ မြင့်မားသောအပူချိန်၊ စိုထိုင်းဆနှင့်တုန်ခါမှုကဲ့သို့သောပြင်းထန်သောပတ်ဝန်းကျင်အခြေအနေများကိုခံနိုင်ရည်ရှိသည်။
IGBT Fuse နည်းပညာသည် အဆင့်မြင့် အီလက်ထရွန်နစ် ကိရိယာများ၏ တိုးမြင့်လာသော လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းရန် စဉ်ဆက်မပြတ် တိုးတက်နေပါသည်။ နောင်တွင်၊IGBT Fuseပိုမိုမြင့်မားသော လက်ရှိသယ်ဆောင်နိုင်စွမ်း၊ တုံ့ပြန်ချိန်ပိုမိုမြန်ဆန်ခြင်းနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်ရန် မျှော်လင့်ပါသည်။ ထို့အပြင်၊ ၎င်းအား IGBT ၏ ကျန်းမာရေးနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ဆိုင်ရာ အချိန်နှင့်တပြေးညီ အချက်အလက်များကို ပေးဆောင်ရန် စမတ်စောင့်ကြည့်ခြင်းနှင့် ရောဂါရှာဖွေရေးစနစ်များနှင့် ပေါင်းစပ်ထားနိုင်သည်။ ပစ္စည်းအသစ်များနှင့် ထုတ်လုပ်မှုနည်းပညာများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာခြင်းသည် IGBT Fuse နည်းပညာ၏ တိုးတက်မှုကို အထောက်အကူဖြစ်စေမည်ဖြစ်သည်။
IGBT Fuse ကို Blade၊ Bolted၊ နှင့် Surface mount fuses ကဲ့သို့သော အမျိုးအစား အမျိုးမျိုးဖြင့် ရနိုင်ပါသည်။ fuse အမျိုးအစား၏ရွေးချယ်မှုသည် IGBT ၏လျှပ်စစ်သတ်မှတ်ချက်များ၊ အရွယ်အစားနှင့် တပ်ဆင်ခြင်းလိုအပ်ချက်များအပေါ် မူတည်သည်။ Blade fuses များသည် high-voltage applications များအတွက် သင့်လျော်ပြီး Bolted fuses များသည် high-current applications များအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။ Surface mount fuses များသည် ကျစ်လျစ်ပြီး နေရာအကန့်အသတ်ရှိသော application များအတွက် သင့်လျော်ပါသည်။
IGBT Fuse သည် ၎င်း၏ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် ဘေးကင်းမှုကို သေချာစေရန် စမ်းသပ်မှုများစွာကို ခံယူသည်။ စမ်းသပ်မှုများတွင် လက်ရှိပြတ်တောက်မှုစမ်းသပ်မှု၊ ဗို့အားခံနိုင်ရည်စမ်းသပ်မှု၊ အပူချိန်မြင့်တက်မှုစမ်းသပ်မှုနှင့် ခံနိုင်ရည်စမ်းသပ်မှုတို့ ပါဝင်သည်။ ထို့အပြင်၊ IGBT Fuse သည် အမျိုးမျိုးသော ချို့ယွင်းမှုအခြေအနေများအောက်တွင် ၎င်း၏တုံ့ပြန်ချိန်နှင့် အဖွင့်လက္ခဏာများအတွက် စမ်းသပ်ထားသည်။
IGBT Fuse ကို IGBTs များကို အသုံးပြုသည့် ကျယ်ပြန့်သော application များတွင် အသုံးပြုသည်။ အသုံးများသော အသုံးချပရိုဂရမ်အချို့တွင် လျှပ်စစ်ကားများ၊ ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စနစ်များ၊ ဆာဗိုဒရိုက်များနှင့် ဂဟေဆက်စက်များ ပါဝင်သည်။ IGBT Fuse သည် ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများ၊ လျှပ်စစ်ဖြန့်ဖြူးရေးနှင့် ထိန်းချုပ်မှုစနစ်များတွင် အသုံးချမှုများကိုလည်း ရှာဖွေတွေ့ရှိပါသည်။
နိဂုံးချုပ်အားဖြင့်၊ IGBT Fuse နည်းပညာ၏ အနာဂတ်သည် ပစ္စည်းများ၊ ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်များနှင့် အီလက်ထရွန်နစ် စက်ပစ္စည်းများတွင် ဆန်းသစ်တီထွင်မှုများ စဉ်ဆက်မပြတ် တိုးတက်မှုများနှင့်အတူ အလားအလာ ကောင်းနေသည်။ IGBT Fuse သည် IGBT-based စနစ်များ၏ ဘေးကင်းမှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို သေချာစေသည့် အရေးကြီးသော အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့် မှန်ကန်သော IGBT Fuse အမျိုးအစားကို ရွေးချယ်ပြီး ၎င်းကို သေချာစွာ စမ်းသပ်ခြင်းသည် အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိန်းသိမ်းထားရန် အရေးကြီးပါသည်။
Zhejiang Westking New Energy Technology Co., Ltd သည် ထိပ်တန်းထုတ်လုပ်သူဖြစ်သည်။IGBT Fuseတရုတ်မှာ။ ကျွန်ုပ်တို့သည် ယုံကြည်စိတ်ချရသော၊ ထိရောက်ပြီး နိုင်ငံတကာဘေးကင်းမှုစံနှုန်းများနှင့်ကိုက်ညီသော ကျယ်ပြန့်သော IGBT Fuses များကို ပေးဆောင်ပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ထုတ်ကုန်များကို သယ်ယူပို့ဆောင်ရေး၊ ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်နှင့် စက်မှုလုပ်ငန်းသုံး အလိုအလျောက်စနစ်ကဲ့သို့သော စက်မှုလုပ်ငန်းအမျိုးမျိုးတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုကြသည်။ နောက်ထပ်စုံစမ်းမေးမြန်းလိုပါက ကျွန်တော်တို့ကို ဆက်သွယ်မေးမြန်းနိုင်ပါသည်။sales@westking-fuse.com.
1. JW Kolar, M Bohata, and R Heidemann (2004) 'IGBT Protection by Active Gate Control' IEEE Transactions on Industrial Electronics, 51(5), p. ၁၀၈၄-၁၀၉၁။
2. S. Fukuda, N. Uehara, M. Miyake, T. Mizushima, နှင့် Y. Kato. (2018) 'IGBT Overcurrent Protection ကို Embedded Current Sensor အသုံးပြုခြင်း။' စက်မှုအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများဆိုင်ရာ IEEE လွှဲပြောင်းမှုများ၊ 65(5)၊ စ။ ၄၄၃၆-၄၄၄၄။
3. M. Cecchetti, U. Reggiani, M. Fantini, နှင့် A. Tani (2019) 'ပါဝါပြောင်းစက်များတွင် ထိရောက်မှုနှင့် ဘေးကင်းရေးဆိုင်ရာ တိုးတက်မှုများအတွက် IGBT Fuses ၏ အပူပိုင်းခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်း' IEEE ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများဆိုင်ရာ လွှဲပြောင်းမှုများ၊ 34(9)၊ စ. ၈၇၀၈-၈၇၁၇။
4. J. Jung နှင့် E. Kim (2013) 'ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်ပြောင်းလဲခြင်းစနစ်များအတွက် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို တိုးမြှင့်ခြင်း' Power Electronics တွင် IEEE လွှဲပြောင်းမှုများ၊ 28(11)၊ စ. ၅၂၈၇-၅၂၉၃။
5. J. Liu၊ N. Zhang၊ Z. Wang၊ Y. Guo နှင့် X. Liao (2015) 'A Dual-Threshold IGBT Overcurrent Protection Method with High Sensitivity with DC Bias Resistance' IEEE Transactions on Power Electronics, 30( 1), p ။ ၅၇-၆၄။
6. M. Riparbelli, M. Ciappa, D. Caviglia (2011) 'ဗို့အားမြင့် အသုံးချမှု အတွက် IGBT Fuses ၏ ကူးပြောင်းခြင်း စွမ်းဆောင်ရည် အကဲဖြတ်ခြင်း'၊ Proceedings of 2011 IEEE International Symposium on Industrial Electronics (ISIE), p. ၁၃၁၁-၁၃၁၅။
7. F.L. Wang၊ Y. Liu၊ N. Wang နှင့် G. Sun (2016) 'ထိန်းချုပ်ထားသော Switch ကိုအခြေခံ၍ အလွန်မြန်သော IGBT အပိုဗို့အားကာကွယ်ရေးပတ်လမ်း' IEEE Transactions on Power Electronics, 32(10), p. ၇၇၉၄-၇၈၀၂။
8. J. Zhao၊ X. Liu နှင့် X. He (2017) 'အသက်အရွယ်ကြီးရင့်မှုဆိုင်ရာ ယန္တရားနှင့် ဘဝခန့်မှန်းချက်ဆိုင်ရာ IGBT Power module ၏ သုတေသနနည်းလမ်း' IEEE Access, 5, p. ၃၉၈၆-၃၉၉၇။
9. H. Li, Y. Chen, Y. Huang, နှင့် B. Liu (2020) 'လျှပ်စစ်ကားအက်ပလီကေးရှင်းအတွက် IGBT ပါဝါမော်ဂျူးများ၏ မြန်ဆန်သော IGBT power modules အသစ်' IET Power Electronics, 14(8), p. ၁၇၀၀-၁၇၀၈။
10. Y. Zhang, X. Zhang, H. Wu, and L. Cheng (2011) 'A Novel IGBT Current Detection Method' Power Electronics on IEEE Transactions, 26(3), p. ၇၃၂-၇၄၂။